# 宇宙用太陽電池カバーガラス：なぜセリウムなのか、そしてその見極め方 > 宇宙用太陽電池はセリウム添加カバーガラスの下に配置される。セリウムが吸収するもの、データシートの読み方、そしてスペクトル損失が電流損失になる仕組み。 ![宇宙用太陽電池カバーガラス：なぜセリウムなのか、そしてその見極め方](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20261017/2026101712121212.webp) - ** Ooitech 編集チーム - ** 2026-10-29 - ** 2 閲覧 - ** [ブログ](./Blog.html) ## 宇宙用太陽電池カバーガラス：なぜセリウムなのか、そしてその見極め方 **簡単な回答：** 宇宙用太陽電池は0.1ミリメートルのガラスで覆われており、そのガラスはパッケージングではなく光学設計の一部である。セリウムが添加されるのは、短波長紫外線が下の接着剤に到達する前にそれを吸収するためであり、また長年の照射後もガラスの透過性を維持するのに役立つためである。カバーガラスのデータシートを読むということは、3種類の異なる数値を読むことである。すなわち、帯域平均値、単一波長での値、そして定義されたカットオフである。 軌道上の太陽電池アレイには一つの役割がある。ミッションが続く限り、太陽光を電流に変換することである。太陽と半導体の間にあるものはすべて、セルを保護しているか、アレイの電力を損なっているかのいずれかであり、カバーガラスはその両方を同時に行う。それはシステム内で最初の光学素子であり、環境に直接接触した状態で耐えなければならない唯一の素子である。 この二重の役割がカバーガラスの選定を難しくしている。厚いガラスは荷電粒子からセルを遮蔽するが、通常は質量制約のある構造体に質量を追加する。紫外線を吸収することは下の接着剤を保護し、セルがそもそも効率的に使わない光を取り除くが、同じ吸収メカニズムは設計を過度に推し進めると有用な波長を削ってしまう可能性がある。 本ページでは、ガラス前面から組み立てられたセルのI-V曲線に至るまでの光の経路をたどる。ガラス内部でセリウムが果たす役割、それを記述するデータシートの数値の読み方、そして特定波長での損失が複数の吸収層を持つセルにおいて電流損失に変わる仕組みを扱う。 ## 光がセルに到達する前に通過するもの 太陽電池アレイに到達した太陽光は、まずカバーガラスに当たり、次に透明接着剤、そしてセルに当たる。ガラスは薄く、0.1ミリメートル単位で測られ、同時に二つの機能を果たす。すなわち、外側で宇宙環境に耐えること、そしてセルが使用するように設計された光を透過させることである。短波長紫外線をどれだけ除去し、有用な光をどれだけ保持するかは、完成したアセンブリの性能に現れる。 接着剤こそが紫外線の問題が重要となる理由である。それはミッションの寿命にわたって接着状態と透明性を保たなければならず、強い光やその他の宇宙環境下では暗色化する可能性がある。暗色化した接着剤層はセルに到達する光を減らし、それが電流の低下として現れる。接着剤の候補は、二枚のガラス板の間に挟み、長時間の環境シミュレーションを実施し、色と透過率の変化を評価基準としてスクリーニングされてきた。この種の試験はガラスではなく接着剤を測定するものである。 次に、二つのプロセスを区別する必要がある。フィルタリングはカバーガラスが接着された初日から起こる。それは接着剤に到達するスペクトルを即座に、かつ恒久的に変化させる。経年劣化はより遅い時間軸で起こる。接着剤は長年の光照射で透過率を失う可能性があり、ガラス自体も暗色化する可能性がある。したがって、同じガラス・接着剤・セルの組み合わせには、初期測定と、定義された環境試験後の保持性能測定が必要であり、両者は互換性がない。 ## なぜセリウムなのか、そして紫外線はどこで止まるのか 太陽光は広い範囲の波長をカバーしており、その短波長端は光子あたりより多くのエネルギーを運ぶ。ここでは二つの帯域が重要である。UV-Bは280から315ナノメートル、UV-Aは315から400ナノメートルである。波長と光子エネルギーのおおよその関係はE ≈ 1240/λであり、Eは電子ボルト、λはナノメートルである。これにより、300ナノメートルの光子は約4.13 eV、400ナノメートルの光子は約3.10 eVとなる。 光子あたりのこの余分なエネルギーが材料中の光化学反応を駆動する。接着剤はそれに最も曝される部品であり、それを遠ざけるための確立された工学的手法が二つある。一つは溶融石英カバーガラスであり、紫外線域までよく透過し、その表面のコーティングが短波長を反射して外へ戻す。もう一つはセリウム添加ホウケイ酸ガラスであり、それらの波長を接着剤に到達する前に材料内部で吸収する。どちらの手法も同じ光路上で同じ問題を、スタック内の異なる位置で解決する。 設計上の問いは、どの波長が除去され、どの波長が保持されるかである。可視光と近赤外光はシリコンやガリウムヒ素セルの光電流の大部分を運ぶため、ガラスはそこでは透明でなければならず、フィルタリング端の位置はガラス組成、厚さ、プロセスによって変わる。可視域にまで吸収が及ぶカバーガラスは接着剤を保護するが、アレイの電力を損なう。 ## セリウムの二つの効果、二つの時間スケール セリウムは出荷時のスペクトルとは無関係な第二の役割を果たす。高エネルギー粒子や強い紫外線はガラス内部に新たな吸収欠陥を生成する可能性があり、ガラスは徐々に暗色化し、これは放射線暗色化またはソラリゼーションと呼ばれることが多い。セリウム関連の成分はその変化を抑制するのに役立つため、ガラスは未添加の同等品よりも照射後の透過率をより多く保持する。 二つの効果は異なる方法で測定される。初期フィルタリングは、製造されたままのガラスの透過スペクトルから読み取られ、短波長を透過し始める位置も含まれる。保持性能は、セルが実際に使用する帯域において、定義された照射の前後で同じガラスを測定することによって読み取られる。カバーガラスは一方に強く他方に弱いことがあり、だからこそ両方の数値が比較に含まれるべきである。 ## ガラス内部でセリウムが果たしていること セリウムは他の原料とともにガラス融液に入り、複数の酸化状態で存在し得る。重要なのはCe3+ とCe4+の二つである。価数状態は電子が利用できるエネルギー準位を変え、したがって材料が吸収できる光子を変える。ガラス組成、溶融中の酸化還元条件、その後の処理はすべて両者のバランスに影響し、だからこそ二つのセリウム添加ガラスが異なる透過曲線を持ち得る。 一つの吸収経路は、Ce3+ イオン中の電子が光子を吸収し、低い4f準位から5d準位へ移動することである。第二の寄与はCeを含む電荷移動に由来する4+、そこでは電子が異なるイオンに関連する状態間を移動する。どちらも対応するエネルギーの光子を消費し、どちらも位置と強度がガラス母材に依存する吸収帯を生じる。市販のカバーガラスでは、フィルタリング性能は配合レシピではなく完成品の実測透過スペクトルで判断される。 回復挙動には独自のメカニズムがある。照射後、電子とそれらが残した空孔はガラス中の局所構造に捕獲され、新たな吸収中心を形成する。これが目に見える暗化である。1962年に報告されたカリウムバリウムケイ酸塩ガラスに関する実験では、試料をガンマ線で同じ程度の着色まで照射し、その後どのくらい速く退色するかを比較した。Ceを多く含む試料は3+ より速く退色し、その提案された説明は、セリウムが電子と正孔の再結合を促進するため、吸収性欠陥が徐々に除去されるというものであった。これが回復の背後にある一つのメカニズムである。宇宙用カバーガラスが規定されるのは、定義された照射後にどれだけの透過率を保持するかであり、同一ガラスで照射前後に測定される。 材料データシートと製品データシートもまた、二つの異なるレベルで機能する。組成表は原料酸化物のバッチ中の酸化セリウムの質量分率を示すことがあり、これは材料系を記述する。透過率の値はガラスが製造された後の光学的结果を示す。二つの完成したカバーガラスを比較する場合、比較は厚さ、透過スペクトル、照射後の変化に基づくべきである。 ## データシートの一行の読み方 ある波長における透過率は、データシートが定義する測定配置において、試料から出る光パワーと入射する光パワーの比である。400ナノメートルでの91.3%という読み値は、その配置において、その波長で入射する光100部のうち約91.3部が出射側に到達することを意味し、残りは表面反射とガラス内の吸収で説明される。 コーティングなしの0.100ミリメートルの代表的なセリウムドープホウケイ酸カバーガラスは、同じ行に二つの読み値が公表されている。300〜315ナノメートルでの算術平均11.4%と、400ナノメートルでの単一点91.3%である。前者は帯域にわたる複数の測定点を要約し、後者は一つの波長を記述する。どちらも正しく、どちらも他方の代わりには使えない。 300〜315ナノメートルはUV-Bの長波長端であり、400ナノメートルはUV-Aの長波長端、可視光が始まる付近に位置する。帯域平均は、その範囲にわたってガラスが平均してどれだけ透過するかに答える。それは太陽がそこでどれだけの光子を届けるかは示さず、両者は異なる問いである。電流を見積もるには、各波長での透過率に太陽光子数とその波長でのセル応答を掛ける必要があり、だからこそ同じ帯域平均でも異なるスペクトルの下では異なる電流損失を生じうる。 | 行内の数値 | 記述する内容 | 使用方法 | | --- | --- | --- | | 300〜315 nmで11.4% | 帯域にわたる算術平均、0.100 mm、コーティングなし | 紫外線遮断の要約として用い、波長分解値としては用いない | | 400 nmで91.3% | 一波長、一厚さ、一コーティング状態 | 比較の他の箇所と同じ条件に対してのみ用いる | | 332 nmカットオフ | 定義された位置：0.100 mmで透過率が46%に達する点 | フィルタリングエッジの位置の目安として用い、物理的閾値としては用いない | カットオフは注意深く読む価値がある。製品はそれを、規定の厚さで透過率が46%に達する位置と定義している。それは製造者が選んだ慣例であり、材料の法則ではない。同じデータシートで、332ナノメートルはUV-Aの短波長側に位置し、透過率はその後、可視光に向かう遷移領域を通って上昇する。スペクトルに沿って移動すると、変化する数値は慣例が定義するものである。 ## 同じガラス、一波長での三つの数値 同じデータシートには400ナノメートルでの三つの値が記載されている。コーティングなしガラスで91.3%、片面反射防止コーティング付きガラスで92.3%、光が接着剤へと進む場合で95.8%である。第三の列は通常説明を要する。より高い数値はより良いガラスに聞こえるが、実際には異なる測定である。 光がある材料から別の材料へと通過するとき、その一部は反射され、その量は両側の屈折率に依存する。接着剤の屈折率は空気よりもはるかにガラスに近いため、ガラス-空気界面をガラス-接着剤界面に置き換えるとガラス背面での反射が減少し、より多くの光が接着剤へと進む。測定はその接触を模擬して行われ、約1.41の屈折率整合液と裏板が接着剤の代わりとなり、裏板の外面からの反射は結果から補正される。95.8%の値は光が接着剤に入るところで終わるため、実際の接着剤内部での吸収と接着剤-セル界面での反射はまだ残っている。 コーティングを区別しておくことも役立つ。反射防止コーティングはセルが求める光の反射を減らすために存在し、有用な帯域での透過率を高める。溶融シリカ経路での紫外線反射コーティングは短波長を外へ送り返すために存在し、そこでの透過率を下げる。それらは同じ表面にあり、スペクトルの反対端で反対の働きをする。候補のカバーガラスを比較する場合、まず厚さ、コーティング状態、出射面を固定し、次にセルが応答する帯域での透過率を読む必要がある。 ## 厚さは三つのことを同時に変える 厚さは光学、質量、放射線遮蔽を結びつけるパラメータである。光は材料中をより遠くまで進むため、吸収される帯域はより減衰する。面密度は単に材料密度に厚さを掛けたものである。密度2.51グラム毎立方センチメートルでは、0.100ミリメートルのガラスは約0.251キログラム毎平方メートルとなる。質量制限のあるアレイでは、追加の0.1ミリメートルごとに遮蔽または光学性能においてその場所を得る必要がある。 データシートでは異なる測定に対して厚さが分けて記載されることが多く、これは注目に値します。同じガラスについて公表されている照射前後の連続スペクトルは、0.150ミリメートルの試料で取得されています。露光は真空中での規定のソラリゼーション条件であり、2000太陽時間相当に積算されています。上記の3つの単一値は0.100ミリメートルの試料に属します。どちらも有用であり、異なる問いに答えるものです。一方は照射下で材料がどのように変化するかを示し、もう一方は規定の厚さでの規定の読み値を与えます。 ## 失われた光子から失われた電流へ 透過率の数値から電流の数値への道筋は、簡単な数え上げでたどることができます。狭い帯域を取り、カバーガラスに100個の光子が到達するとします。そのうち80個がガラスを通過し、その90%が接着剤を通過すると、72個がセル前面に到達します。このパッケージ状態では、セルに到達する光子の60%が外部回路で収集される電荷に対応するとします。収集電荷は平均すると72 × 0.60 = 43.2電子電荷となり、平均値であるため小数になることがあります。 43.2を到達した100個の光子で割ると、その組立体におけるその帯域の外部量子効率が得られます。基準面に入射するすべての光子のうち、平均してどれだけの電荷が外部で収集されるかということです。外部という言葉が重要です。基準面は計数の起点だからです。ベアセルではセル前面であり、封止された組立体ではカバーガラスの外面です。ガラスを接着すると、空気-セル界面が接着剤-セル界面に置き換わり、そこでの反射が変化します。これが、組立体は組立体として測定する方がよい理由の一つです。 1つの帯域を全スペクトルに拡張すると、光電流密度は波長に関する積分として得られます。すなわちJph ≈ q ∫ Φ(λ) EQE組立(λ) dλ です。ここでΦはカバーガラス前方の太陽光子束であり、単位面積・時間・波長あたりです。EQE組立 はカバーガラスを基準面として測定され、qは素電荷で約1.602 × 10-19 クーロンです。積分は和であり、光子束×量子効率×電荷を波長にわたって足し合わせたものです。 これが、400ナノメートルでの91.3%が電力にとって意味を持つ前に、依然としてスペクトルに戻して考えなければならない理由です。太陽はすべての帯域で同じ数の光子を届けるわけではなく、セルもすべての帯域に等しく応答するわけではありません。セルの応答が弱い帯域で10%を失うと電流の損失は小さく、特定のサブセルが依存する帯域で失うと損失ははるかに大きくなります。計算には、ミッションに適合するスペクトル、温度、照射後の応答データを用いるべきです。 ## 積層セル:損失がどこに落ちるかが重要 多接合セルはスペクトルの異なる部分を吸収する複数のサブセルを積層し、それらは直列に接続されているため、1つの電流がすべてを流れます。したがって各接合は個別に測定する必要があります。1つの接合を測定している間、他の接合にはそれぞれの帯域の光でバイアスをかけ、十分な光電流を供給して被測定接合を制限しないようにします。適切な電圧バイアスも印加される場合があります。次にプローブ光の波長を掃引すると、対象サブセルの応答が点ごとに得られます。 電流整合解析では、最も弱い接合がストリング電流を決めます。上部、中部、下部接合の光電流密度がそれぞれ18、17、20ミリアンペア毎平方センチメートルの仮想的な三接合セルを考えます。中部接合が制限接合です。カバーガラスを変えて上部接合が短波長光をより少なく受けるようにすると、3つの値は16、17、20となり、今度は上部接合が制限します。2つの状況は大きさとしては同種の損失ですが、結果は異なります。 制限接合、またはそれに近い接合に到達する光を改善することが、通常は直列電流を高める最も直接的な方法です。他の接合の変化も電圧を通じて総電力に影響し得るため、解析はサブセル電流で終わりません。次にセルの完全な電流-電圧曲線を測定します。各端子電圧で電流を記録し、各点での電力は両者の積であり、その積の最大値が最大電力点です。カバーガラスが入射スペクトルを変え、スペクトルがサブセル光電流を変え、直列接続と電圧がともに出力電力を決めるため、このループはデータシートの値だけではなく測定によって閉じなければなりません。 ここで1つ注意があります。多接合測定の実務に関する報告は、シミュレータのスペクトルとサブセル応答の不一致が測定曲線を変え、ひいては測定効率を変えると指摘しています。あるシミュレータスペクトル下でより良く見えるセルが、別のスペクトル下ではより悪く見えることがあり、カバーガラスはセルが見るスペクトルを決める要素の一部です。 ## カバーガラスの選択がどのように実証されるか 選択は材料ではなくミッションから始まります。アレイが見るスペクトル、セル種別、予想温度、要求寿命です。そこからカバーガラスの厚さと放射線遮蔽の目標が決まります。次に候補を同じ厚さ、同じコーティング状態、同じ測定面で比較し、最初は透過率で、その後は実際の接着剤とセルを用いて組立体量子効率とセルレベルの電流-電圧曲線を測定します。 | 測定 | 利得とリスクは同時に訪れるため、0BBバックコンタクトのプログラムはモジュール出力だけで判断できません。出力は電流経路が改善したことを示しますが、接合部が10年の熱サイクルに耐えられるかについては何も語りません。重要な指標は3つのグループに分かれ、通常はラインの異なる時点で測定されます。 | 答えられないこと | | --- | --- | --- | | 透過スペクトル | ガラスがどの波長を通過させ、フィルタリングのエッジがどこにあるか | 電流については何も分からない。太陽もセルも測定に含まれていないため | | 照射後の透過率 | 規定の露光下でガラスがどれだけ透過率を保持するか | 下の接着剤がどのように劣化するか | | 組立体EQE | 各波長が外部で収集される電荷をどれだけ生むか | どの内部層が損失を引き起こしたか | | セル電流-電圧曲線 | 制限接合を含め、組み立てられたセルが実際に供給する電力 | 異なるスペクトルや温度下で結果がどう変わるか | 環境試験には、互いに比較できる監視用サンプルが必要です。コーティングされたガラス片はガラスとコーティングに何が起こるかを示し、ガラスと接着剤のサンドイッチは接着剤を単独で評価し、完全なセル組立体は総出力を測定します。それらの材料とプロセスは飛行構成に対応しているべきであり、それにより暴露前後のスペクトルと電気的結果を比較したとき、損失を単なる総量として定量化するだけでなく、特定の層に帰属させることができます。電力を失った組立体は、それ自体では全体的な劣化の測定値にすぎません。 試験プログラムは、何を試験するかによって分類されます。紫外線暴露は、フィルタリング、ガラスの暗色化、接着剤の透過損失を扱います。電子線および陽子線照射は、材料とセルに対する対応する粒子条件を扱います。測定は前後で一貫したスペクトル、温度、基準面を用いるため、透過率の変化を電気出力の変化と対応付けることができます。適用規格については、その適用範囲は厚さ50マイクロメートル超の結晶シリコンおよび単接合または多接合ガリウムヒ素セルを対象としています。超薄型フレキシブルおよび新しい方式については、そのデバイスとパッケージの特性に照らした独自の適用性評価が必要です。確立された材料の組み合わせでは、標準的な紫外線検証は既存の長期劣化データに基づいて構築できます。新しい組み合わせは、認定前に長期のエンジニアリング試験を通じてその根拠を確立しなければなりません。その試験中、短絡電流は暴露を通じて監視され、電流-電圧曲線は段階的に測定されるため、終点だけでなく進行状況が記録されます。 ## よくある質問 ### なぜ単にもっと厚いガラスを使えば済むのではないのか？ なぜなら厚さは質量であり、宇宙機では質量は他のすべてが競合する予算だからです。厚いガラスは通過する光をより多く吸収するため、遮蔽の利得は光学的コストと比較衡量しなければなりません。設計点は、透過率、遮蔽、面密度の間のバランスであり、最大値ではありません。 ### ガラス中のセリウムは紫外線フィルタと同じか？ 機能的にははい、機械的にはいいえ。フィルタはある帯域を除去する追加の光学素子であり、セリウムのドーピングはガラス自体にその帯域を吸収させます。どちらも下の層を保護しますが、積層に何を追加するか、および照射後の挙動が異なります。 ### なぜデータシートは曲線ではなく帯域平均を示すのか？ なぜなら単一の数値は規定も比較も容易であり、平均はガラスがある範囲をどれだけ遮断するかを示す簡潔な方法だからです。曲線の方が情報量は多く、多くのデータシートは両方を提供しています。すなわち、仕様用の定義された読み値のセットと、エンジニアリング作業用の連続スペクトルです。 ### より高い透過率の数値は常に何を意味するのか？ それは、記載された波長および記載された測定配置において、より多くの光が出射面を通過したということだけです。測定には厚さ、コーティング状態、サンプル裏面の処理方法が含まれます。接着剤への測定と空気への測定を比較することは、二つのガラスを比較することではなく、二つの配置を比較することです。 ### なぜ積層セルの接合ごとに測定するのか？ なぜなら接合は直列であり、最も弱い接合が電流を制限し、セル全体の単一測定ではどの接合が電流不足かを言えないからです。接合ごとの量子効率は、応答がどこで不足しているかを示し、カバーガラスのスペクトル変化を出力の変化に結びつける測定です。 ### 同じ論理は地上用モジュールにも当てはまるか？ 光学は当てはまりますが、数値は当てはまりません。地上用モジュールにもガラス前面、封止材、セルがあり、界面とスペクトルに関する同じ論理が成り立ちます。異なるのは環境です。封止材は真空紫外線や荷電粒子ではなく湿度や熱サイクルに対して選定され、認定試験もそれに対応して異なります。 ## 最終的な考察 セリウムドープカバーガラスが宇宙用太陽電池アレイで一般的なのには、各段階で確認できる理由があります。接着剤に到達する短波長紫外線を低減し、照射後も発電帯域での透過率を維持するのに役立ちます。どちらの主張もスローガンとしては役に立ちません。それらを有用にしているのは、アレイが実際に使用する同じ光路で、定義された暴露の前後に測定できることです。 ガラスの吸収帯からアレイ出力の変化に至る連鎖は、接着剤、界面、サブセル応答、直列接続を通ります。各リンクには独自の測定があり、各測定には独自の条件があります。カバーガラスは、その連鎖全体をたどり、比較する数値が同じ厚さ、同じ面、同じスペクトルで取得されたときに、適切に選定されたといえます。 データ注記：ここに引用した透過率の値、300-315 nmで11.4%、400 nmで91.3%、92.3%、95.8%、46%での332 nmカットオフ、密度2.51 g/cm3、照射サンプル0.150 mmは、市販のセリウムドープホウケイ酸カバーガラスの公表値であり、データシートの構成例として引用したものです。これらは当社が行った測定ではなく第三者データであり、記載された厚さとコーティング状態に属するもので、他の製品に転用すべきではありません。外部量子効率を説明するために用いた光子計数比は教育上の仮定です。UV-BおよびUV-Aの帯域限界は標準的な波長区分です。本文で言及した組立体規格はECSS-E-ST-20-08C Rev.2です。 --- ##### タグ : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### 見積もりをリクエスト すべてのアップロードは安全かつ機密です。 ## 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最新製品 ![SS-2500Bタバーストリンガー：2400セル/時、3-20BB](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774258018905303.webp) - [** ooitech](./SS-2500B-Full-Automatic-Solar-Cell-Tabber-Stringer-Machine-High-Speed-Production-Line-Equipment.html) - [** 37028](./SS-2500B-Full-Automatic-Solar-Cell-Tabber-Stringer-Machine-High-Speed-Production-Line-Equipment.html) ### SS-2500Bタバーストリンガー：2400セル/時、3-20BB SS-2500B は、赤外線はんだ付けを特徴とする、容量2400PCS/Hの結晶シリコン太陽電池用全自動タブ・ストリンガー機です ![ソーラー接続箱およびダイオードボックス — IP67/IP68定格](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032739568544.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) - [** 15560](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) ### ソーラー接続箱およびダイオードボックス — IP67/IP68定格 バイパスダイオード付きソーラー接続箱およびダイオードボックス、IP67/IP68定格：ホットスポット保護、MC4コネクタ、モジュール電流のオプション監視機能付き。 ![単層二室自動BIPVラミネーター](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63356](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### 単層二室自動BIPVラミネーター Ooitech OTCY-2754DD 単層二重チャンバー自動BIPVラミネーターは、2700x5400mmの二重ラミネーションエリア、上下二重加熱を備えています ![太陽電池セル積層機 WS-CL80D：48秒サイクル、±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12436](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### 太陽電池セル積層機 WS-CL80D：48秒サイクル、±0.1mm Ooitech WS-CL80D 自動太陽電池レイアップマシンは、デュアルガントリー・デュアルグリッパーの独立動作、0.01mmのリニアモーター駆動主軸を特徴としています ![OTMT-A ソーラーシミュレータ：クラスA、≤±1% 不安定性](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774513832212306.jpg) - [** ooitech](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) - [** 846](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) ### OTMT-A ソーラーシミュレータ：クラスA、≤±1% 不安定性 Ooitech OTMT-A ソーラーパネルテスター サンシミュレーターは、キセノンランプ技術を採用したAAAクラスのソーラーモジュールIVテストシステムで、IEC 60904-9に準拠 ![CHT9930A 接地導通テスター：5-60A、600W](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774605285835810.webp) - [** ooitech](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) - [** 663](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) ### CHT9930A 接地導通テスター：5-60A、600W CHT9930A 接地導通試験器は、太陽電池モジュールの接地抵抗測定のために、プログラム可能なDC 5-60A出力電流と0.01μΩ-600mΩの測定範囲を提供します